DMPH6050SK3Q-13
DIODES(美台)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.26
4,436
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Ta),23.6A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMPH6050SK3Q-13
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥1.24

1+:¥1.3

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2年内
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DMPH6050SK3Q-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.26

500+:¥1.35

100+:¥1.49

30+:¥1.81

10+:¥2.07

1+:¥2.66

2823

-
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DMPH6050SK3Q-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

500+:¥1.33

100+:¥1.45

30+:¥1.75

10+:¥2.0

1+:¥2.5

449

-
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DMPH6050SK3Q-13
美台(DIODES)
TO-252

25000+:¥1.364

5000+:¥1.4725

2500+:¥1.55

800+:¥2.17

200+:¥3.1

10+:¥5.0453

582

-
DMPH6050SK3Q-13
Diodes(达尔)
DPAK

100+:¥1.639

30+:¥2.134

582

-
3天-15天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.2A(Ta),23.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1377 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63