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SI2319DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），3.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2319DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥1.0097 3000+:￥1.0686 500+:￥1.1668 150+:￥1.4605 50+:￥1.6467 5+:￥2.081 |
330 |
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立创商城
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SI2319DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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150+:￥2.116 90+:￥2.2066 30+:￥2.436 |
36127 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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Si2319DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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1500+:￥2.9703 750+:￥3.0618 50+:￥3.1545 |
5000 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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SI2319DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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12000+:￥5.28 9000+:￥5.376 6000+:￥5.472 3000+:￥5.568 |
9000 |
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8-11工作日
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云汉芯城
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SI2319DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.904 1+:￥0.954 |
0 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta），3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |