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IPD50R280CEAUMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：550 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD50R280CEAUMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥2.7 500+:￥2.87 100+:￥3.2 30+:￥3.74 10+:￥4.29 1+:￥5.39 |
2179 |
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立创商城
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IPD50R280CEAUMA1
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO252-3
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2500+:￥2.9 1+:￥3.03 |
2500 |
25+
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圣禾堂
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IPD50R280CEAUMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-2
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1000+:￥8.4667 500+:￥9.7367 100+:￥10.5834 30+:￥11.8534 10+:￥14.3934 1+:￥16.9334 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 550 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 13V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 4.2A，13V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 350µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 32.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 773 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 119W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |