AOD2810
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥1.92
31,439
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):80 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A(Ta),46A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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AOD2810
AOS
TO252

2500+:¥1.92

1+:¥2.01

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AOD2810
AOS
TO-252

1000+:¥1.99

500+:¥2.11

100+:¥2.61

30+:¥2.99

10+:¥3.38

1+:¥4.16

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TO-252-3

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AOD2810
AOS
TO-252-2

25000+:¥2.112

5000+:¥2.28

2500+:¥2.4

800+:¥3.36

200+:¥4.8

10+:¥7.812

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AOS(美国万代)
TO-252

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.5A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1871 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63