YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.332
1500
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.451155
2435
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.48384
100
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.59415
680
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
KBL
¥0.598
1130
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.576
1090
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6769
350
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.769
1516
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YFW(佑风微)
GBU
¥0.6944
825
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.85977
430
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
TTF
¥0.88
3494
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
KBU
¥0.89127
970
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
TTF
¥0.87808
360
正向压降(Vf):950mV@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):1uA
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.15
1031
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.1119
1498
正向压降(Vf):1.05V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
GBJ
¥1.46
232
正向压降(Vf):1.05V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.2362
5
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIODES(美台)
4-SMD,扁平引线
¥1.323
83
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.3293
256
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.3837
60
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.26
990
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.575
202
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥1.6323
4
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SDIP-4
¥1.6072
1528
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥1.67
377
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.72
12
正向压降(Vf):1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
GBJ
¥4.27526
112
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 12.5 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥4.22
34
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 12.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥6.52
59
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
DIODES(美台)
GBJ
¥8.53
18
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):20 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 10 A
VISHAY(威世)
4-SIP,PB
¥9.03
30759
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 22.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥10.77
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 17.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥15.38
56
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1.6kV
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC-W
¥20.21
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
TWGMC(台湾迪嘉)
MBF
¥0.03838
16250
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.08322
1740
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@400V
晶导微电子
UMB
¥0.0924
4460
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):3uA@600V
KUU(永裕泰)
DBS
¥0.1155
30170
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
ABS
¥0.13239
4710
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.1692
500
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.16207
1120
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@400V
华轩阳
GBP
¥0.23319
580
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
LRC(乐山无线电)
GBL
¥0.181645
45
正向压降(Vf):1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
KBP
¥0.27423
140
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.20566
10
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.3017
7549
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 500 mA
SMC(桑德斯)
4-EDIP(0.321",8.15mm)
¥0.36727
60
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBP
¥0.411
2294
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.5028
435
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1000V
LGE(鲁光)
MSB
¥0.46674
1595
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV