不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-4
¥0.8889
4601
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
MDD(辰达行)
KBJ
¥0.974
250
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
YFW(佑风微)
GBU
¥1.083
275
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1000V
GOODWORK(固得沃克)
KBJ
¥1.04041
470
正向压降(Vf):1.05V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1000V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.0529
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥0.9443
0
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.28
1284
正向压降(Vf):1.1V@20A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA@1000V
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.33
365
正向压降(Vf):1.05V@15A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:30A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.48
158
正向压降(Vf):1V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.66
998
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.4151
475
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
KBPC-8
¥2.08
201
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.05
6
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
DIODES(美台)
KBJ
¥2.08
188
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
晶导微电子
UMSB
¥1.6
2907
正向压降(Vf):590mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.58
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
晶导微电子
GBJ
¥3.28
137
正向压降(Vf):1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
KBPC
¥3.2015
34
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10A@1kV
GOODWORK(固得沃克)
KBPC-W
¥3.401
115
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10A@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥3.35294
8215
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥7.4
42
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
TSB-5
¥4.29411
1824
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 17.5 A
YFW(佑风微)
SKBPC
¥9.05
1
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA
YFW(佑风微)
插件
¥32.661
4
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:50A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500A
华轩阳
MBS
¥0.048355
550
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA
UMW(友台半导体)
MBF
¥0.0523
3970
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
UMW(友台半导体)
MBS-1
¥0.05777
1919
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA@1kV
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.06194
0
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@600V
BORN(伯恩半导体)
MBF
¥0.05936
7540
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
Slkor(萨科微)
ABS
¥0.0663
980
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.0732
4080
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
MDD(辰达行)
DB
¥0.12566
84
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.149855
1540
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@1kV
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.183635
990
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.1823
6650
正向压降(Vf):1.3V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
SHIKUES(时科)
DBS
¥0.193135
22148
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.11872
2180
正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
UMSB
¥0.25327
2430
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.2754
29
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
KBP
¥0.28377
681
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
GBP
¥0.282
180
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3849
1570
正向压降(Vf):1.05V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.5128
2909
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2.2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.1 A
晶导微电子
MBF
¥0.33
63546
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.3579
290
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
LGE(鲁光)
KBP
¥0.31725
1480
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
ABF
¥0.4086
4010
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
LGE(鲁光)
DIP-4
¥0.42246
1635
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.5321
2767
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
晶导微电子
KBP
¥0.484
1815
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V