MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.2972
5035
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 400 mA
GOODWORK(固得沃克)
MBS
¥0.3058
85
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
晶导微电子
MBF
¥0.385
670
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.35739
140
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
MBF
¥0.352
12037
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.390735
4670
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@40V
晶导微电子
MBS
¥0.6844
1300
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.41433
930
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
YBS3
¥0.38157
2
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
KBP
¥0.8218
230
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1 A
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.54468
2430
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
D3K
¥0.62244
540
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
TTF
¥0.6842
0
正向压降(Vf):830mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
TTF
¥0.6891
1883
正向压降(Vf):830mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.85977
15
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥1.0011
3410
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.1847
260
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.33
675
正向压降(Vf):1V@4.0A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.44
31
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.575
310
正向压降(Vf):1.05V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.58
101
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.28
46
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YFW(佑风微)
GBJ
¥2.328
169
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.86
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 17.5 A
YFW(佑风微)
GBPCW
¥3.4
144
正向压降(Vf):1.05V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1000V
LGE(鲁光)
BR
¥4.68
87
正向压降(Vf):1.1V@50A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥4.81
0
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥5.6992
1427
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 12.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥6.06
51
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
Slkor(萨科微)
MBF
¥0.02905
9762
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
UMW(友台半导体)
MBF
¥0.0519
800
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
FUXINSEMI(富芯森美)
ABS
¥0.07065
5250
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
SHIKUES(时科)
UMB
¥0.0715
186739
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
ABS
¥0.08379
5890
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.01741
300
正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@400V
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.222395
25
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.2968
1205
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.4598
2895
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.2712
2460
正向压降(Vf):1V@700mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
KBP
¥0.4348
335
正向压降(Vf):1V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10.5mA
晶导微电子
KBPC-5.5
¥0.46
5420
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.4748
2125
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.48
142
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.49521
375
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1000V
华轩阳
KBL
¥0.597784
150
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.6543
0
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1000V,正向浪涌电流(Ifsm):125A
DIODES(美台)
SMD-4P
¥0.638
21104
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 500 mA
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥0.6384
2266
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
YBS3
¥0.55272
2325
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
ABS
¥0.71184
9090
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300nA