UMW(友台半导体)
SOP-4
¥0.0477
22222
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
晶导微电子
MBF
¥0.0605
341843
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
ABS
¥0.06464
158076
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
BORN(伯恩半导体)
MBF
¥0.07021
10688
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
UMB
¥0.0807
6920
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):3uA@100V
MDD(辰达行)
LBXS
¥0.0823
40
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.12168
4980
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
MBF
¥0.1196
9484
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.11232
17576
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 500 mA
晶导微电子
ABS
¥0.16121
5292
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@100V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.1647
33726
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.2479
2615
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
ABS
¥0.2748
3970
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.50906
1565
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.32589
1860
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MCC(美微科)
4-EDIP(0.321",8.15mm)
¥0.3624
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
MiniDIP
¥0.4128
59209
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
晶导微电子
UMSB
¥0.42134
8828
正向压降(Vf):1.6V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
PANJIT(强茂)
SDIP-4
¥0.44304
1241
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.58159
2365
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JUXING(钜兴)
GBU
¥0.60435
20
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA
DIODES(美台)
DF-S
¥0.725
73800
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.8543
3
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥1.21
353
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.43
785
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.8522
552
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.45001
1974
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
DIP-4
¥1.6432
1033
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.71
139
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1000V
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥2.2286
256
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.89411
5562
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 17.5 A
YFW(佑风微)
SKBPC
¥11.0675
4
正向压降(Vf):1.05V@25A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA
LGE(鲁光)
ABS
¥0.07569
4660
正向压降(Vf):950mV@0.4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
UMW(友台半导体)
MB-1
¥0.07659
4921
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA@1kV
YFW(佑风微)
MBS
¥0.0824
1840
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
UMW(友台半导体)
MB-1
¥0.0775
23017
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA@600V
Slkor(萨科微)
MBF
¥0.0616
5020
正向压降(Vf):1.5V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
MBM
¥0.09054
1380
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
ABS
¥0.115995
920
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.1196
1800
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
DB-1
¥0.13752
130
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.14592
640
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
GBP
¥0.18396
405
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.1689
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 700 mA
GOODWORK(固得沃克)
GBP
¥0.23
1740
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1000V
晶导微电子
UMSB
¥0.231
362169
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
BORN(伯恩半导体)
KBP
¥0.2313
790
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
MSB
¥0.2457
3125
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.32984
25
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.320435
79
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV