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FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：200 µA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：300 mV @ 10 nA，功率 - 最大值：350 mW
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，漏源电压（Vdss）：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 10 nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：14 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：14 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 100 nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：50 Ohms
技术：JFET，配置：N 通道，增益：12dB，电压 - 测试：10 V，额定电流（安培）：60mA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，漏源电压（Vdss）：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：25 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 10 nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.2 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：6.5 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
晶体管类型：N 通道 JFET，额定电流（安培）：30mA，电压 - 额定：25 V，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：7 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.6 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：6.5 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA，功率 - 最大值：225 mW
FET类型：1个N沟道，耗散功率(Pd)：100mW，输入电容(Ciss)：5pF@2V，工作温度：-55℃~+150℃
FET 类型：2 N-通道（双），电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，漏源电压（Vdss）：40 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 0.1 µA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 µA @ 10 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：600 mV @ 1 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 10V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，漏源电压（Vdss）：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 10 nA
FET类型：1个N沟道，耗散功率(Pd)：200mW，输入电容(Ciss)：4.8pF@5V，工作温度：-55℃~+150℃
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：14 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：14 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 100 nA
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：250 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：30 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：15 V，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：32 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，漏源电压（Vdss）：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：24 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 0.5 nA，电阻 - RDS(On)：60 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：10 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：18 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：100 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：50 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：100 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.2 mA @ 10 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 100 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 10V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：30 Ohms
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：7 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：125 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，漏源电压（Vdss）：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：24 mA @ 10 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2.5 V @ 1 nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：15 V，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
晶体管类型：N 通道 JFET，额定电流（安培）：13mA，电压 - 额定：30 V，安装类型：通孔，封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
FET类型：1个N沟道，耗散功率(Pd)：200mW，导通电阻(RDS(on))：270Ω，输入电容(Ciss)：4pF@10V
FET 类型：2 N-通道（双），不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：16 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：300 mV @ 100 µA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10.5pF @ 5V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：40 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：12 Ohms
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：40 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：12 Ohms
FET 类型：N 通道，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：16 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：600 mV @ 10 µA
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：300 µA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：6.5 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
FET 类型：N 通道，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：10 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：200 mV @ 100 µA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：15 V，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：10 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
晶体管类型：N 通道 JFET，频率：400MHz，电压 - 测试：15 V，额定电流（安培）：5mA，噪声系数：4dB
晶体管类型：N 通道 JFET，增益：12dB，电压 - 测试：10 V，额定电流（安培）：60mA，电流 - 测试：10 mA
FET 类型：N 通道，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：10 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：300 mV @ 100 µA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：600 µA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：6.5 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：15 V，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：32 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
FET 类型：2 N-通道（双），不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：600 mV @ 100 µA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6pF @ 5V