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SMMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
结型场效应管(JFET)
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.5 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SMMBFJ177LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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150000+:￥1.0229 75000+:￥1.032 15000+:￥1.0411 3000+:￥1.0592 |
177000 |
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5-8工作日
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云汉芯城
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SMMBFJ177LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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175+:￥1.4605 105+:￥1.6048 35+:￥1.764 |
3325 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SMMBFJ177LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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15000+:￥0.6994 |
0 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 1.5 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 800 mV @ 10 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS(On) | 300 Ohms |
| 功率 - 最大值 | 225 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |