SMMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.69944
0
结型场效应管(JFET)
FET 类型:P 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):1.5 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):800 mV @ 10 nA,不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11pF @ 10V(VGS)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
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渠道
SMMBFJ177LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥1.0229

75000+:¥1.032

15000+:¥1.0411

3000+:¥1.0592

177000

-
5-8工作日
SMMBFJ177LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

175+:¥1.4605

105+:¥1.6048

35+:¥1.764

3325

-
14-18工作日
SMMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

15000+:¥0.6994

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 1.5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 800 mV @ 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(On) 300 Ohms
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3