MMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.3016
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结型场效应管(JFET)
FET 类型:P 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):1.5 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):800 mV @ 10 nA,不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11pF @ 10V(VGS)
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MMBFJ177LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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MMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

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ON(安森美)
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MMBFJ177LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 1.5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 800 mV @ 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(On) 300 Ohms
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3