MMBF4393LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.35
612,916
结型场效应管(JFET)
FET 类型:N 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V,漏源电压(Vdss):30 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):5 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):500 mV @ 10 nA
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MMBF4393LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.35

1+:¥0.374

20133

2年内
立即发货
MMBF4393LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.364

1+:¥0.38896

20132

2年内
1-2工作日发货
MMBF4393LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.36618

1000+:¥0.37298

500+:¥0.37978

100+:¥0.38624

10+:¥0.391

321634

25+
现货
MMBF4393LT1G
onsemi(安森美)
SOT23

3000+:¥0.375

500+:¥0.506

50+:¥0.645

5+:¥0.778

30000

24+/25+
MMBF4393LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.385

6000+:¥0.4155

3000+:¥0.4375

800+:¥0.6125

100+:¥0.875

20+:¥1.3562

20133

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30 V
漏源电压(Vdss) 30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 500 mV @ 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14pF @ 15V
电阻 - RDS(On) 100 Ohms
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3