2SK508G-K51-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.28336
2
结型场效应管(JFET)
FET类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):4.8pF@5V,工作温度:-55℃~+150℃
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2SK508G-K51-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23

3000+:¥0.2834

1+:¥0.3203

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2SK508G-K51-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23

6000+:¥0.3252

3000+:¥0.345

500+:¥0.3883

150+:¥0.4378

50+:¥0.5038

5+:¥0.6357

0

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2SK508G-K51-AE3-R
UTC
SOT-23

1+:¥0.5367

2

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET类型 1个N沟道
耗散功率(Pd) 200mW
输入电容(Ciss) 4.8pF@5V
工作温度 -55℃~+150℃