J113
onsemi(安森美)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
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结型场效应管(JFET)
FET 类型:N 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):2 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):500 mV @ 1 µA,电阻 - RDS(On):100 Ohms
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TO-92-3

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 35 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 2 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 500 mV @ 1 µA
电阻 - RDS(On) 100 Ohms
功率 - 最大值 625 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)