咨询/建议
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：250 Ohms
晶体管类型：N 通道 JFET，增益：12dB，电压 - 测试：10 V，额定电流（安培）：60mA，电流 - 测试：10 mA
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：7 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，漏源电压（Vdss）：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：430mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.3V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
FET 类型：N 通道，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：14.5 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：200 mV @ 100 µA
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：106A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：N 通道 JFET，额定电流（安培）：30mA，电压 - 额定：25 V，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，5V
停产
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V