2SK3666G-3-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.23744
0
结型场效应管(JFET)
FET类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):200mW,导通电阻(RDS(on)):270Ω,输入电容(Ciss):4pF@10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
2SK3666G-3-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23

3000+:¥0.2374

1+:¥0.2699

0

-
立即发货
2SK3666G-3-AE3-R
UTC(友顺)
SOT-23

6000+:¥0.2985

3000+:¥0.3166

500+:¥0.3651

150+:¥0.4101

50+:¥0.4701

5+:¥0.5901

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET类型 1个N沟道
耗散功率(Pd) 200mW
导通电阻(RDS(on)) 270Ω
输入电容(Ciss) 4pF@10V