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MMBFJ175LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
结型场效应管(JFET)
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：7 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 10 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMBFJ175LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.536 1+:￥0.575 |
42320 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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MMBFJ175LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1000+:￥0.5518 100+:￥0.5655 1+:￥0.5792 |
2110 |
2448
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现货最快4H发
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京北通宇
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MMBFJ175LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.55245 |
21000 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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MMBFJ175LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.55744 1+:￥0.598 |
42318 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBFJ175LT1G
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ON(安森美)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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1500+:￥0.5693 200+:￥0.6554 60+:￥0.8514 |
45338 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 7 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 3 V @ 10 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS(On) | 125 Ohms |
| 功率 - 最大值 | 225 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |