ST(意法半导体)
TOP-3 绝缘
¥7.36
1293
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):400A,420A
华轩阳
SOT-23
¥0.0729
20194
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):60uA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252AB(DPAK)
¥0.535
181929
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):40mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2L
¥0.42
88442
门极触发电压(Vgt):1.45V,保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.96
42180
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
JJW(捷捷微)
TO-252-4R
¥0.563
22010
华轩阳
SOT-23
¥0.07488
45977
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):60uA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-3P
¥3.7
33660
可控硅类型:1个双向可控硅,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.2344
8248
电压 - 断态:500 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.5 A
Slkor(萨科微)
TO-220
¥1.242
9644
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.25622
12585
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
SOT-223
¥0.28
13635
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.88
16107
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
KY(韩景元)
TO-252
¥0.35
14028
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.694875
748
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.01
11823
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):35mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.072
349893
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5uA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.50752
88397
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥1.064
1815
门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV,门极触发电流(Igt):40mA,通态峰值电压(Vtm):1.6V
JJW(捷捷微)
SMB
¥0.125
17516
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.35048
165613
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-89
¥0.2823
6030
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.7
14369
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
KY(韩景元)
SOT-23-3L
¥0.14847
11940
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.79743
6935
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.5091
6464
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
ST(意法半导体)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.2875
770
电压 - 断态:200 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):160 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-223
¥0.25064
92903
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5mA
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.25234
2857
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):30uA
YFW(佑风微)
SOT-223
¥0.392
7020
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
KY(韩景元)
TO-220
¥0.857206
18265
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
Slkor(萨科微)
TO-3P-3
¥4.545
2631
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
KY(韩景元)
TO-220
¥0.68541
10810
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1V,断态峰值电压(Vdrm):650V,通态峰值电压(Vtm):1.7V
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0597
11774
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.10504
312696
可控硅类型:1个单向可控硅,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):200uA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.1548
3960
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.67
1795
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-89-3L
¥0.2488
14112
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):30uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-223
¥0.264
9250
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):100uA
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.2896
7407
保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
YFW(佑风微)
TO-220A
¥1.112
498
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.77
3534
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
JJW(捷捷微)
TO-252-2
¥0.5824
14910
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-263
¥1.22
2233
门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.55V,浪涌电流:160A@50Hz
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥3.224
7470
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
KY(韩景元)
TO-92
¥0.117404
11540
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-252
¥0.38
10625
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥0.92872
35690
电压 - 断态:500 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.5 A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220B
¥0.984
52
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.43
31486
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A