WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥1.2064
19832
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.5 A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220A
¥1.445
691
门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V,浪涌电流:160A@50Hz
JJW(捷捷微)
TO-220AB-3
¥1.91
189
Slkor(萨科微)
TO-263
¥1.38
777
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.75
46
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.38
3797
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.34
3718
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.63
5280
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):35A,39A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥4.1862
396
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥3.5245
787
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.7037
822
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):45A,47A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥5.292
1601
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):40 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.8 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):35 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥16
6
双向可控硅类型:内部触发,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A,105A,配置:单路
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.1101
6940
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):200uA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92-3
¥0.1998
1530
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.21112
5985
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
KY(韩景元)
TO-251
¥0.4583
45
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.53248
8027
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥0.69784
22295
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
KY(韩景元)
TO-220
¥0.6778
31130
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220B
¥0.8388
574
门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V,浪涌电流:160A@50Hz
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.7832
24280
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥0.932
9087
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):35A,38A
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥0.9913
1045
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
KY(韩景元)
TO-263
¥0.9469
360
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥1.225
23
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥1.148
49
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):40mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220
¥1.161
98
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
KY(韩景元)
TO-220A
¥1.29
201
WeEn(瑞能)
SOT-82
¥1.96
540
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.93
155
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.6442
1566
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.3712
1405
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):6.4 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.77
1652
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥3.85
3768
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):155A,170A
KY(韩景元)
TO-3P
¥5.14
988
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):1.6kV
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.99
7859
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):270A,284A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 隔离片
¥4.49
3717
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A,153A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥5.49
286
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):155A,170A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥5.8
13
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):10 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A,105A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥4.3
68
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥10.78
100
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):270A,284A
ST(意法半导体)
TO-3P-3 整包
¥13.56
700
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):420A,400A
ST(意法半导体)
TOP-3 绝缘
¥10.2336
399
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
KY(韩景元)
TO-92
¥0.096
50870
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.1411
2760
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
Slkor(萨科微)
TO-92
¥0.1613
1987
断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA,通态电流(It):800mA
KEXIN(科信)
SOT-89
¥0.285
1010
KEXIN(科信)
SOT-89
¥0.2703
1300
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):1.5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-252
¥0.328692
9245
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.7V