ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.4214
17145
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
KY(韩景元)
TO-220
¥0.745878
10430
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥0.794
42635
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.0568
135
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
KY(韩景元)
TO-263
¥1.1685
861
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):25A,工作温度:-40℃~+125℃
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.36
15600
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.02
3992
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.66
10987
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥4.31
1869
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
WeEn(瑞能)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥4.43
2722
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,105A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥7.32
239
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥9.38
823
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):50 A
ST(意法半导体)
TOP-3 绝缘
¥9.5472
2728
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):400A,420A
KY(韩景元)
SOT-89-2
¥0.1976
810
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.41
2420
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
KY(韩景元)
TO-202-3
¥0.4812
135
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.69992
12142
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.5 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):600 mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.87975
895
门极触发电压(Vgt):400mV,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.0853
210
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):35mA
MSKSEMI(美森科)
TO-220
¥1.2255
284
断态峰值电压(Vdrm):600V,通态电流(It):16A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-263
¥1.278
262
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
Tokmas(托克马斯)
TO-220
¥1.41
159
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):16A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 隔离片
¥1.66
22307
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,176A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220A
¥1.89
513
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):35mA
JJW(捷捷微)
TO-263
¥2.28
24
onsemi(安森美)
TO-225-3
¥2.6
15
保持电流(Ih):190uA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):15uA,通态峰值电压(Vtm):2.2V
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.25
3632
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.54
1890
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥3.69
230
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
KY(韩景元)
TO-3P-3
¥3.91
360
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV,通态峰值电压(Vtm):1.55V
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥6.06
21
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A @ 50Hz
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥7.344
490
门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.6V
WeEn(瑞能)
TO-247-3
¥34.31
18
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):70 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.65 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):80 A
VISHAY(威世)
TO-274AA
¥18.2305
6733
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):100 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.4 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):70 A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0791
32088
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):5uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.08307
2560
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.08838
3180
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):60uA
KY(韩景元)
TO-92
¥0.1164
10960
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.129
115336
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):200uA
KY(韩景元)
SOT-89-2
¥0.2256
2270
可控硅类型:1个双向可控硅,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.5V
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.26315
2120
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):100mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-126-3
¥0.3162
880
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
KY(韩景元)
TO-126P-3
¥0.3702
10015
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.7V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.37233
2875
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
KY(韩景元)
TO-252
¥0.52
10300
可控硅类型:1个双向可控硅,门极平均耗散功率(PG(AV)):1W,通态电流(It):12A
KY(韩景元)
TO-220
¥0.78
10064
可控硅类型:1个单向可控硅,保持电流(Ih):40mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.7V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.81532
265
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-92
¥0.2842
3315
KY(韩景元)
TO-220
¥1
11700
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.2
30599
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):7.3A,7.6A