ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.661
0
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.8985
223
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.91
3129
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥2.92
1452
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.1824
1282
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥3.64
1493
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥3.07
1199
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.1614
30
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):10 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):10 A
WeEn(瑞能)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥3.26
1622
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A,150A
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥3.6901
0
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):13A,13.7A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥8.67
0
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.8 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥3.1512
418
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.08
349
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):10 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A,105A
WeEn(瑞能)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥4.71
415
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,105A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.11
1997
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥4.6
108
电压 - 断态:1 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
Slkor(萨科微)
TO-3P-3
¥4.64
210
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
VISHAY(威世)
TO-220-3
¥5.58135
0
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):60 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.4 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):10 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥5.7
5646
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):190A,209A
JJW(捷捷微)
TO-3P
¥7.6
13
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):75mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥10.72
100
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.65 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):30 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 隔离片
¥9.43
940
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,275A
WeEn(瑞能)
TO-247-3
¥6.5
724
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.5 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):50 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥6.11
282
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):25 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥10.45
76
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):283A,270A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥11.32
2
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):270A,284A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥12.88
148
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥9.3159
1
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:700 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):210A,200A
ST(意法半导体)
RD91-3(绝缘型)
¥43.84
25
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
ST(意法半导体)
RD91-3(绝缘型)
¥38.72
19
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):400A,420A
KY(韩景元)
TO-92
¥0.1164
20370
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
KY(韩景元)
TO-92
¥0.126
20520
可控硅类型:1个双向可控硅,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.5V
Slkor(萨科微)
TO-92
¥0.1588
580
门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):3mA
Slkor(萨科微)
TO-92
¥0.10164
1865
断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA,通态电流(It):800mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.188
2080
保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.12341
240
断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):200uA,通态电流(It):800mA
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.2028
2752
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:400 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):600 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.8A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.2013
119378
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):5mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.198475
670
门极触发电压(Vgt):2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):5mA
KY(韩景元)
SOT-223
¥0.249998
10835
可控硅类型:1个双向可控硅,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.5V
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.2666
1
JJW(捷捷微)
SOT-223
¥0.2604
3995
WeEn(瑞能)
SOT-223
¥0.2709
3
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-126
¥0.3194
600
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
KEXIN(科信)
SOT-223
¥0.3661
80
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.4608
123740
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):630 mA
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.52425
945
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):8A
Slkor(萨科微)
TO-252
¥0.42791
857
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220-3
¥0.643705
455
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.7312
1940
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.45 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):800 mA