WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.452
14668
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.7412
6785
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
UTC(友顺)
SOT-223
¥0.7568
0
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.9856
1200
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):75mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.1066
3980
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.8A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.15
894
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
KY(韩景元)
TO-92
¥0.122598
14220
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23-3LK
¥0.2833
2080
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):3mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.31
1062
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):35mA
KY(韩景元)
TO-263
¥1.33
330
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
KY(韩景元)
TO-220B
¥2.28
5027
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):1.6kV,通态峰值电压(Vtm):1.8V
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.4145
11203
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-3P
¥3.663
142
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.1528
2120
门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-223-2
¥0.2544
4055
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.37336
7547
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.53788
2550
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
JJW(捷捷微)
TO-252
¥0.551
515
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.641915
260
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.847
16398
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.45V,保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-220A
¥1.1068
506
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
华轩阳
TO-220
¥1.1305
538
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
JJW(捷捷微)
TO-220A
¥1.87
9733
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.89
8445
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
Slkor(萨科微)
TO-220
¥1.98
175
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥3.77
3500
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥3.16
1188
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):5 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥4.888
4218
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23-3L
¥0.13014
5710
门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.222205
1750
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):15uA
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.23769
340
门极触发电压(Vgt):2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.26019
425
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.6362
1760
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220C
¥0.699
1000
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2LK
¥0.6585
910
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.728
115
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.939
54128
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.15
7985
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥1.41
7780
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.7A
JJW(捷捷微)
TO-220AB-3
¥1.61
859
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥1.27
4033
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:1 kV,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.6852
848
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.75
47990
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥3.86
6017
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,105A
ST(意法半导体)
TOP-3 绝缘
¥5.3456
4073
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
KY(韩景元)
TO-247J
¥6.2
995
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):120mA,断态峰值电压(Vdrm):1.6kV
KY(韩景元)
SOT-23
¥0.12
15360
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-252
¥0.31
12015
可控硅类型:1个双向可控硅,浪涌电流:27A,门极平均耗散功率(PG(AV)):1W,通态电流(It):4A
YFW(佑风微)
SOT-223
¥0.32868
710
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):3mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.419424
140
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V