JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.88882
210
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):45mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.82264
4097
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):35A,38A
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥0.8326
8892
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
UTC(友顺)
TO-92
¥0.2967
8741
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-126
¥0.329
2415
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.437
2250
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.55161
14075
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.758439
8404
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.45 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):800 mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.53
27474
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
KY(韩景元)
TO-252
¥0.28
10795
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.381
1946
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.798
5650
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-220A
¥1.3
21721
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
MSKSEMI(美森科)
TO-220
¥1.161
939
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):16A
KY(韩景元)
TO-220
¥1.63
11500
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
VISHAY(威世)
TO-247-3
¥7.4
18078
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):150 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.85 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):35 A
KY(韩景元)
SOT-23-3L
¥0.1098
7215
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.825
21777
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥3.497
450
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥3.52
4598
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.08064
2210
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,浪涌电流:8A
KY(韩景元)
SOT-23
¥0.112994
1060
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-263
¥1.17
761
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥1.2172
4301
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.36
1517
保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
JJW(捷捷微)
TO-220A
¥1.5288
3457
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.18
4069
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
KY(韩景元)
SOT-23-3L
¥0.1263
3640
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.4368
7281
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
KY(韩景元)
TO-202-3
¥0.5157
11055
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.7848
4390
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JJW(捷捷微)
TO-3P
¥4.34
1695
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.10608
307341
可控硅类型:1个单向可控硅,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
KY(韩景元)
TO-252
¥0.3498
6710
可控硅类型:1个单向可控硅,浪涌电流:30A,门极平均耗散功率(PG(AV)):200mW,通态电流(It):4A
Littelfuse(美国力特)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.5988
21164
电压 - 断态:200 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):250 mA
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥0.78
656
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,105A
Slkor(萨科微)
TO-220
¥1.18
6355
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):30mA
YFW(佑风微)
TO-220A
¥2.02
55
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):75mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.42
503
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,32A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.73
7381
电压 - 断态:650 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.5 A
KY(韩景元)
TO-3P
¥3.895
1263
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.87
2757
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23-3L
¥0.12186
1570
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):200uA
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.677
67613
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
KY(韩景元)
TO-220
¥1.0488
10351
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V
KY(韩景元)
TO-220
¥1.44
11678
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥2.013
55983
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
LGE(鲁光)
TO-92
¥0.159
7750
门极触发电压(Vgt):600mV,保持电流(Ih):4mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):40uA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.58869
1285
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
LGE(鲁光)
TO-252
¥0.4583
360
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):5mA