JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥2.09
54
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥2.08
12
电压 - 断态:650 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):32 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):13 A
Littelfuse(美国力特)
TO-261-4,TO-261AA
¥2.03
0
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1.5 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥2.5272
29470
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):32 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):13 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.8126
30451
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):25 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):10 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.85163
523
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥1.8408
1580
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):90A,100A
KY(韩景元)
TO-3P-3
¥3.29
95
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V
VISHAY(威世)
TO-220-3
¥9.68
48
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):45 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.25 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A
KY(韩景元)
TO-247J
¥5.3
907
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):120mA,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.512
2930
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥5.53
538
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):28 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):13 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 隔离片
¥2.9186
5085
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,176A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.1096
341
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥7.07
10
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥5.10376
0
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
KY(韩景元)
TO-247S
¥10.5
1056
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):150mA,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
VISHAY(威世)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥10.99
8112
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):45 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.25 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥27.87
2
电压 - 断态:1.6 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):100 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.64 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):48 A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.18408
490854
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
KEXIN(科信)
SOT-89
¥0.2427
375
YFW(佑风微)
SOT-223-3L
¥0.25184
360
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
Tokmas(托克马斯)
TO-220
¥0.696
1250
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):25mA;15mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.7412
5540
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.5859
4888
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.95 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.84
740
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
YFW(佑风微)
TO-220C
¥1.0532
375
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220-3
¥1.053
130
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
MSKSEMI(美森科)
TO-220
¥0.94365
230
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):12A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥1.0094
305
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.8A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220C
¥1.10038
508
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
KY(韩景元)
TO-220C
¥1.1068
335
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.23
642
保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.24
12968
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:700 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥1.31445
21746
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):5 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220A
¥1.26
168
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):35mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):35mA
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.274
103
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
UTC(友顺)
TO-126
¥1.2305
200
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥1.5386
250
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):2 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):14A,15.4A
WeEn(瑞能)
SOT-82
¥1.69
8355
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥1.768
397
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥2.145
0
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
Littelfuse(美国力特)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.87
15
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1.5 A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.64
5892
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.81
225
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.14
2129
电压 - 断态:100 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):160 mA
Littelfuse(美国力特)
TO-225AA,TO-126-3
¥2.19
1964
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):2.2 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):2.55 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥2.5
2652
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A,150A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.43
518
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥2.62
77
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):9A,9.5A