ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.468
1836
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.4802
10155
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.52425
1740
断态峰值电压(Vdrm):600V,通态电流(It):4A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-252
¥0.6384
5220
门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.65V
KY(韩景元)
TO-220
¥0.73
10115
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.828
65260
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥0.919
5845
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):35mA
JJW(捷捷微)
TO-202-3
¥0.9202
3870
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.984
1232
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
KY(韩景元)
TO-220F
¥1.032
10506
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.4V
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥1.248
1091
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):450 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):7.3A,7.6A
KY(韩景元)
TO-220AB-3
¥1.242
221
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥1.85
1476
保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
JJW(捷捷微)
TO-220A
¥1.74
499
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.3759
510
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.45 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):800 mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.1581
25116
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.94
825
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.21
1463
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.24
1543
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥3.38
1184
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.91
2189
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):9.5 A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥3.1324
218
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3P
¥3.6
1701
VISHAY(威世)
TO-220-3
¥4.66
5721
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):25 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥10.95
2147
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):40 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A
KY(韩景元)
ITO-247
¥9.5
1847
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥13.17
4
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):283A,270A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥19.04
91
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:1.2 kV,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):240A,252A
Littelfuse(美国力特)
TO-240AA
¥117.3
15
结构:串联 - 全部为 SCR,SCR 数,二极管:2 SCRs,电压 - 断态:1.6 kV,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):116 A,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):180 A
CBI(创基)
SOT89
¥0.2127
200
KEXIN(科信)
SOT-89
¥0.2233
580
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-223
¥0.27801
7670
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.3604
335
YFW(佑风微)
SOT-223
¥0.3724
2435
CJ(江苏长电/长晶)
TO-126
¥0.4235
5104
门极触发电压(Vgt):1.45V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):20mA
Littelfuse(美国力特)
DO-204AC,DO-15,轴向
¥0.16926
2199
电压 - 导通:205 ~ 230V,电流 - 导通:10 µA,电流 - 保持 (Ih)(最大值):150 mA,电流 - 峰值输出:1 A,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
UTC(友顺)
SOT-223
¥0.5143
0
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.42848
7988
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
ST(意法半导体)
3-SMB,扁引线
¥0.585
20158
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.516
6746
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.95 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.79224
500
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220-3
¥0.6916
495
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.8836
890
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.7405
37
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.8A
KY(韩景元)
TO-220
¥0.76832
10070
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥1.1
3266
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):450 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):13A,13.7A
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.2704
205
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.8A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-263
¥1.387
304
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):70mA
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.404
881
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.8 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):2.5 A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥1.5984
93
电压 - 断态:50 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):30 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.8 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A