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SI01P10-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 1A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI01P10-TP
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MCC(美微科)
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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3000+:￥0.233 1+:￥0.263 |
2220 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI01P10-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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3000+:￥0.24232 1+:￥0.27352 |
2218 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI01P10-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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500+:￥0.3328 150+:￥0.3745 50+:￥0.4301 5+:￥0.5413 |
1595 |
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立即发货
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立创商城
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SI01P10-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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1500+:￥0.3419 200+:￥0.3939 90+:￥0.611 |
2220 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI01P10-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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3000+:￥0.3831 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tj） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 388 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 770mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |