SPB17N80C3
Infineon(英飞凌)
TO-263
¥5.97
2,580
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):800V,连续漏极电流(Id):17A,导通电阻(RDS(on)):290mΩ@10V,11A
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SPB17N80C3
Infineon(英飞凌)
TO-263

1000+:¥5.97

500+:¥6.19

100+:¥6.68

30+:¥8.5

10+:¥9.57

1+:¥11.29

2546

-
立即发货
SPB17N80C3
Infineon(英飞凌)
TO-263-3

1000+:¥7.91

1+:¥8.19

17

23+
立即发货
SPB17N80C3
英飞凌(INFINEON)
TO-263-2

10000+:¥8.701

2000+:¥9.3931

1000+:¥9.8875

500+:¥13.8425

100+:¥19.775

20+:¥32.1838

17

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 800V
连续漏极电流(Id) 17A
导通电阻(RDS(on)) 290mΩ@10V,11A