咨询/建议
XP151A13A0MR
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@2.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V |