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MJD41CT4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
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封装
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价格(含税)
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MJD41CT4G
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥2.28 500+:￥2.42 100+:￥2.69 30+:￥3.15 10+:￥3.61 1+:￥4.53 |
1887 |
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立创商城
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MJD41CT4G
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onsemi(安森美)
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TO252
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500+:￥3.02 100+:￥3.39 20+:￥4.42 1+:￥6.68 |
1200 |
21+
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在芯间
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On Semiconductor/Fairchild
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TO-252-2
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75+:￥4.554 45+:￥5.0976 15+:￥5.616 |
2986 |
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DPAK
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2500+:￥2.09 1+:￥2.18 |
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D-PAK
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1000+:￥2.36 500+:￥2.46 100+:￥2.66 30+:￥2.86 1+:￥2.96 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50µA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V |
| 功率 - 最大值 | 1.75 W |
| 频率 - 跃迁 | 3MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |