NSS60601MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.5496
8,176
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 600mA,6A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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NSS60601MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.5496

1+:¥1.664

2582

25+
1-2工作日发货
NSS60601MZ4T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥1.639

2000+:¥1.7694

1000+:¥1.8625

500+:¥2.6075

100+:¥3.725

10+:¥6.0624

2584

-
NSS60601MZ4T1G
ON(安森美)
TO-261-4,TO-261AA

1000+:¥1.639

50+:¥1.76

30+:¥2.299

2584

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3天-15天
NSS60601MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.9

500+:¥2.0

100+:¥2.25

30+:¥2.64

10+:¥2.94

1+:¥3.66

426

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NSS60601MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223

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50+:¥1.664

1+:¥2.1736

2987

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 1A,2V
功率 - 最大值 800 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA