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IRFU220NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-251(IPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFU220NPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-251(IPAK)
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525+:￥1.2165 150+:￥1.5202 50+:￥1.9913 5+:￥2.5593 |
1100 |
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立即发货
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立创商城
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IRFU220NPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-251
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750+:￥1.375 150+:￥1.4844 75+:￥1.5625 40+:￥2.1875 10+:￥3.125 1+:￥5.0859 |
13535 |
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油柑网
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IRFU220NPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO251
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500+:￥1.64 100+:￥1.86 20+:￥2.25 1+:￥2.79 |
3283 |
20+/21+
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在芯间
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IRFU220NPBF
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INFINEON
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TO-251-3
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5+:￥2.2154 |
8480 |
20+
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFU220NPBF
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Infineon Technologies/IR
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IPAK，TO-251AA
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50+:￥1.417 30+:￥1.43 20+:￥1.456 10+:￥1.625 |
200 |
21+
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |