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BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSH108,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.42034 |
560 |
23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH108,215
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NEXPERIA
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SOT-23
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3000+:￥0.4782 1000+:￥0.4998 100+:￥0.5145 1+:￥0.5292 |
8267 |
20+
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSH108,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.48039 |
93000 |
25+23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH108,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.48639 |
27996 |
24+23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH108,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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5000+:￥0.5164 2000+:￥0.5303 500+:￥0.5533 300+:￥0.5994 100+:￥0.6455 1+:￥0.6917 |
332 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 830mW（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |