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FDN338P
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.14 1+:￥0.158 |
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3000 |
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京北通宇
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FDN338P(UMW)
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UMW(友台半导体)
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9000+:￥0.1524 6000+:￥0.1641 3000+:￥0.1876 300+:￥0.2228 100+:￥0.262 10+:￥0.3403 |
7090 |
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UMW(友台)
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SSOT-3
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3000+:￥0.21 1500+:￥0.237 200+:￥0.273 140+:￥0.3679 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |