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FDC5614P
onsemi(安森美)
SuperSOT-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDC5614P
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥0.76467 1000+:￥0.77887 500+:￥0.79307 100+:￥0.80656 10+:￥0.8165 |
153213 |
24+
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现货
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硬之城
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FDC5614P
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ON(安森美)
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SuperSOT™-6
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3000+:￥0.808 1+:￥0.852 |
9056 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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FDC5614P
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥0.82756 1000+:￥0.84293 500+:￥0.8583 100+:￥0.8729 10+:￥0.88366 |
33620 |
23+
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现货
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硬之城
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FDC5614P
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥0.84032 1+:￥0.88608 |
8603 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDC5614P
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥0.84032 1+:￥0.88608 |
9251 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 759 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |