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SIA517DJ-T1-GE3
JSMSEMI(杰盛微)
WDFN-6-EP(2x2)
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：61mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIA517DJ-T1-GE3-JSM
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JSMSEMI(杰盛微)
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WDFN-6-EP(2x2)
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6000+:￥0.3148 3000+:￥0.3356 500+:￥0.3703 150+:￥0.4481 50+:￥0.5105 5+:￥0.656 |
10430 |
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立即发货
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立创商城
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SIA517DJ-T1-GE3
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JSMSEMI(杰盛微)
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DFNWB2x2-6L
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100+:￥0.37 30+:￥0.448 10+:￥0.51 1+:￥0.656 |
8490 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@4.5V |