DIODES(美台)
GBJ
¥5.39
1
正向压降(Vf):1.05V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@800V
VISHAY(威世)
4-SIP,BU
¥22.63
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3.4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 7.5 A
VISHAY(威世)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥5.04
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1 A
VISHAY(威世)
D-34
¥57.48
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 50 V
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.6164
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.7732
0
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥4.94
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
GBU
¥0.85
0
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
GBU
¥0.85
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
Slkor(萨科微)
DF-S
¥0.324
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@50V
DIODES(美台)
GBP
¥2.1
2
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
AnBon(安邦)
KBU
¥1.21
0
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
PANJIT(强茂)
SBU
¥1.64
0
正向压降(Vf):980mV@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):3uA@600V
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.8984
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ABS
¥0.3409
0
正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
AnBon(安邦)
KBP
¥0.4119
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.72
54
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@50V
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.1368
2420
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
LGE(鲁光)
GBP
¥0.329
80
正向压降(Vf):1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
PANJIT(强茂)
KBU
¥1.35
2
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
ABS
¥0.11704
5000
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1645
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
-
¥0.3373
5
DOWO(东沃)
GBU
¥0.6786
1000
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥2.50566
71
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.23101
1938
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥3.0745
30
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 400 mA
LGE(鲁光)
KBU
¥1.29
0
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.3584
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
KBPC1
¥0.9333
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.1208
40
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
DOWO(东沃)
ABS
¥0.0925
9740
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA
LRC(乐山无线电)
SMD
¥0.03617
1870
正向压降(Vf):1.05V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
JUXING(钜兴)
DBF
¥0.32376
10
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥2.4794
13
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥2.835
50
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥2.835
50
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
M4
¥51.163
2
正向压降(Vf):1.7V@300A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:100A,反向电流(Ir):300uA@800V
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥6.321
40
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@800V
VISHAY(威世)
TO-269AA,4-BESOP
¥2.52
200
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
PANJIT(强茂)
GBU-1
¥0.855718
0
PANJIT(强茂)
MSBL
¥0.345164
0
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥0.882
168
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3.2A,反向电流(Ir):5uA@800V
VISHAY(威世)
GBL
¥2.35
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
5-方形,D-63
¥35.57
14286
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1600 V
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥0.8536
1302
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥1.05
3153
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
晶导微电子
MBS
¥0.33
65875
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
LGE(鲁光)
ABS
¥0.12213
4470
正向压降(Vf):950mV@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
LGE(鲁光)
KBL
¥0.8738
40
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V