YANGJIE(扬杰)
M3
¥179.01
6
正向压降(Vf):1.45V@300A,直流反向耐压(Vr):1.8kV,整流电流:200A,反向电流(Ir):500uA@1.8kV
PANJIT(强茂)
MDI
¥0.4558
80
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
VISHAY(威世)
4-SIP,KBU
¥18.08
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
晶导微电子
GBU
¥0.6785
0
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
465
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@50V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.3297
485
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@50V
LGE(鲁光)
GBJ
¥0.9903
190
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.36
0
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0829
0
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1645
0
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥4.8272
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC
¥29.9079
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
YFW(佑风微)
ABS
¥0.0874
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.38
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥14.62
0
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1.2kV
LRC(乐山无线电)
GBL
¥0.686
425
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
VISHAY(威世)
4-SIP,KBU
¥5.65
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
VISHAY(威世)
DFS
¥1.13
8580
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.765
1788
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
晶导微电子
UMSB
¥0.3673
0
正向压降(Vf):1.6V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
VISHAY(威世)
TO-269AA
¥2.45
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 400 mA
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.2767
0
正向压降(Vf):1.1V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
KBP
¥0.42
500
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBU
¥1.34
0
正向压降(Vf):1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
PANJIT(强茂)
KBP
¥1.0544
480
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.33972
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥5.33
1
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JB
¥0.91513
3600
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥2.2616
497
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
DIODES(美台)
DFM
¥0.645
7421
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC
¥15.1368
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
停产
onsemi(安森美)
DIP-4
¥0.678
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥1.69
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥5.5
198
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
DIODES(美台)
GBU
¥6.635
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
停产
DIODES(美台)
-
¥0.431
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A
VISHAY(威世)
TO-269AA,4-BESOP
¥1.22
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 400 mA
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥3.61
30
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
KBP
¥0.5978
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
MT-A
¥21.65
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 17.5 A
MCC(美微科)
5-SIP,TSB-5
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
BLUE ROCKET(蓝箭)
ABF
¥0.1622
5050
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥4.4072
1
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A
Comchip(典琦)
4-SIP,GBU
¥3.888
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
Comchip(典琦)
KBPC-W
¥50.37
49
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBL
¥0.8527
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
DIODES(美台)
KBJ
¥1.89
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):270A
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥3.17
0
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@400V
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.3819
0
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):90A
晶导微电子
KBP
¥0.3221
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V