YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.043
753
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.05
730
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@600V
onsemi(安森美)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥1.5465
18
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
GBU
¥2.89
0
正向压降(Vf):1.2V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.5219
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A
DIODES(美台)
MSBL
¥0.7542
8575
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2.5 A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥0.975
1052
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.84
7
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@400V
晶导微电子
ABF
¥0.01063
13620
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC
¥17.0274
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
Comchip(典琦)
SPB
¥1.86
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 4 A
Comchip(典琦)
4-SIP,KBP
¥0.8035
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
DIODES(美台)
DBF
¥5.4533
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A
VISHAY(威世)
4-SIP,KBL
¥13.63
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
SOT-227
¥163.43
0
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):175A(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 120 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥3.9537
200
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3.8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
VISHAY(威世)
KBU
¥1.2434
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.2842
30
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.5674
65
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.4838
4200
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBP
¥0.6027
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥5.03
1
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
GBU
¥1.2058
1
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@100V
晶导微电子
ABS
¥0.1358
1560
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
LGE(鲁光)
ABS
¥0.2548
20
正向压降(Vf):1.28V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MCC(美微科)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.8914
1
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.864
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ABS
¥0.477
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 400 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ABS
¥0.4875
75
正向压降(Vf):950mV@400mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIODES(美台)
GBL
¥1.0299
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.1722
0
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
YFW(佑风微)
MBF
¥0.522
0
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):40A
PANJIT(强茂)
KBJ
¥1.74
0
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@600V
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥3.17
0
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@800V
LRC(乐山无线电)
SMD-4P
¥0.3009
3280
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ABS
¥0.3531
0
正向压降(Vf):950mV@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
GBPC-W
¥17.13
6
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.4872
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 500 mA
DIODES(美台)
GBU
¥1.91
0
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
M3
¥158.01
0
正向压降(Vf):1.45V@300A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:200A,反向电流(Ir):500uA@800V
晶导微电子
MBS
¥0.1084
2700
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1175
0
正向压降(Vf):980mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@400V
MCC(美微科)
LMBS-1
¥0.3203
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 400 mA
晶导微电子
GBU
¥0.825
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2.4A,反向电流(Ir):5uA@400V
VISHAY(威世)
GBU
¥4.47
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
VISHAY(威世)
4-SIP,KBL
¥14.1
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC
¥14.329
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC-W
¥8.5272
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
MCC(美微科)
4-方形,GBPC
¥5.2716
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
GBPC-W
¥16.67
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 50 V