MCC(美微科)
4-SIP,RS-4L
¥2.88
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥3.46
14
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥2.996
37
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@800V
Comchip(典琦)
Z4-D
¥4.86
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥4.93
43
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@600V
DIOTEC(德欧泰克)
4-ESIP
¥4.9539
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):1.8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
BR-L
¥3.178
89
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
BR-L
¥5.04
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
LRC(乐山无线电)
-
¥5.21
0
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):350A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥5.11
867
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@400V
Comchip(典琦)
MBS
¥5.45
0
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A
VISHAY(威世)
4-SIP,KBL
¥4.82
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥7.2954
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
LRC(乐山无线电)
-
¥5.55
0
正向压降(Vf):1.05V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
KBL
¥5.15
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GSIB-5S
¥5.33
14060
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥5.71
50
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
GBPC-W
¥5.7475
2
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Comchip(典琦)
MBS
¥4.86
80
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@100V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
GBU-4
¥4.23281
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥7.68
30
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥4.64
4
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@600V
LGE(鲁光)
GBPC
¥6.3
83
正向压降(Vf):1.1V@35A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@600V
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC-6
¥5.925
21
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥6.2015
83
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
DIOTEC(德欧泰克)
4-SIP,GBU
¥6.3063
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2.8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
Comchip(典琦)
MBS
¥6.43
24
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥4.07
0
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@600V
Comchip(典琦)
4-SMD,无引线
¥6.68
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
BR-L
¥6.75
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥7.27
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
DIOTEC(德欧泰克)
4-SIP,GBU
¥7.3099
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4.2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥6.81
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC-6
¥9.57
91
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
GBPC-W
¥7.82
0
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
GBJ
¥8.03
19
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
VISHAY(威世)
GSIB-5S
¥8.322
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥8.53
50
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1.2kV
Comchip(典琦)
TO-269AA
¥9.97
1
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@100V
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥6.279
31
正向压降(Vf):1.2V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
4-SIP,KBU
¥24.68
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
Comchip(典琦)
GBU
¥10.68
41
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
停产
VISHAY(威世)
GBPC1
¥10.77
4
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
Comchip(典琦)
4-方形,GBPC-W
¥10.83
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥11.68
44
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1.4kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1.4kV
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥7.364
22
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1.4kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1.4kV
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥13.54
0
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,反向电流(Ir):10uA@1.2kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):425A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥12.86
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
Comchip(典琦)
4-方形,GBPC-W
¥15.54
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
DIODES(美台)
SIP-4
¥23.0827
0