DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥3.501
28
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBPC-1
¥0.7132
0
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
MCC(美微科)
SDB-1
¥0.4088
49
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 2 A
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.2658
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
JUXING(钜兴)
KBL
¥0.53384
260
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.32
0
正向压降(Vf):1V@6.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1000V
DIODES(美台)
HBS
¥9.48
4
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
晶导微电子
KBP
¥0.2915
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.418
30
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@200V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
4-BESOP(0.173",4.40mm 宽)
¥0.5438
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YFW(佑风微)
KBP
¥0.2576
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.59
60
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@50V
DIODES(美台)
DBF
¥0.499
11880
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥3.192
78
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥2.912
50
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.05
750
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3.2A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
DBF
¥0.619
18803
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥1.25
57
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
DIOTEC(德欧泰克)
4-SMD,鸥翼
¥0.438
4454
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
GBPC
¥20.9329
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 7.5 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥3.8332
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥1.1
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
VISHAY(威世)
SIP-4
¥21.792
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):40 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 20 A
VISHAY(威世)
MTK
¥191.806
3
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):110 A,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥4.93
160
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3.8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
VISHAY(威世)
5-方形,D-63
¥82.3
540
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.2 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1200 V
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥2.52
87
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 800 mA
Comchip(典琦)
MBS
¥2.44
0
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥1.7406
5
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A
Comchip(典琦)
4-SIP,GBU
¥11.14
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
Comchip(典琦)
Z4-D
¥7.82
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 4 A
DIOTEC(德欧泰克)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.9242
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
DIOTEC(德欧泰克)
4-SIP,KBP
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.23
4
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.0701
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥1.8
1
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3.2A,反向电流(Ir):5uA@600V
VISHAY(威世)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.2588
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
DIODES(美台)
GBJ
¥2.87
0
正向压降(Vf):1.05V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIODES(美台)
GBJ
¥2.7
0
正向压降(Vf):1.05V@12.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIODES(美台)
GBU
¥2.55
0
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.67
0
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
GBU
¥0.6588
0
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@100V
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥2.19
0
直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):300A
AnBon(安邦)
GBU
¥0.7581
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
AnBon(安邦)
TO-269AA
¥0.0789
0
正向压降(Vf):1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
SHIKUES(时科)
GBU
¥0.8612
0
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥4.47
0
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIOTEC(德欧泰克)
KBPC-25
¥20.68
0
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@400V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.1879
0
直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):175A
VISHAY(威世)
4-SIP,BU
¥22.64
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3.4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 7.5 A