YANGJIE(扬杰)
KBPC1
¥1.75
2
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
JUXING(钜兴)
GBU
¥0.541595
110
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):10uA,工作结温范围:-55℃~+150℃
YFW(佑风微)
KBL
¥0.67146
100
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.56721
3725
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A
华轩阳
GBU
¥0.5686
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
晶导微电子
KBP
¥0.5724
5
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
PANJIT(强茂)
KBPF
¥0.575272
0
JUXING(钜兴)
GBU
¥0.56905
480
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
KBP
¥0.59279
3
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
GBU
¥0.6443
25
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
GBU
¥0.605
545
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
DIODES(美台)
DFM
¥1.0764
15
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
DF-S
¥0.68
36316
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.704
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIOTEC(德欧泰克)
TO-269AA
¥0.6414
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 800 mA
SMC(桑德斯)
D3K
¥0.6588
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.7648
210
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.5564
500
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@800V
DOWO(东沃)
GBU
¥0.8621
235
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A,工作结温范围:-55℃~+150℃
LGE(鲁光)
GBU
¥0.68157
55
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3.2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.6881
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥1.0062
1475
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
JSMSEMI(杰盛微)
GBU
¥0.931
465
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.686
6958
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
晶导微电子
GBU
¥0.6985
832
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.7003
353
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
Slkor(萨科微)
GBU
¥0.50561
85
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
GBU
¥0.715
743
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
JBSL
¥0.7168
75
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.7763
2080
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
KBJ
¥0.9674
0
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBU
¥0.73395
165
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
MDD(辰达行)
GBU
¥0.7634
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.7642
475
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@200V
PANJIT(强茂)
SDIP-4
¥0.7665
330
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
GBU
¥0.77
0
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.77
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.6411
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
BORN(伯恩半导体)
GBU
¥0.71298
130
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
GBU
¥0.784
350
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@800V
停产
Comchip(典琦)
DF-S
¥0.785175
25
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.7855
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥2.21
39
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
LRC(乐山无线电)
GBL
¥0.9567
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.66045
165
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.66339
187
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
晶导微电子
GBU
¥0.825
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@200V
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.8263
150
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):5uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.2362
210
直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):175A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.68157
40
正向压降(Vf):1.1V@2.8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2.8A,反向电流(Ir):5uA@600V