VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.5326
756
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.54
17
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.55
69
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@400V
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥1.5624
87
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2.2A,反向电流(Ir):10uA@800V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.6048
1
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):175A
DIODES(美台)
GBP
¥1.605
170
正向压降(Vf):1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):5uA,工作结温范围:-55℃~+150℃
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.61
352
正向压降(Vf):1V@4.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
DIODES(美台)
KBJ
¥1.64
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥1.93
33
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
BOURNS(伯恩斯)
芯片,凹面端子
¥7.1
9
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.65
15
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.65
55
直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@200V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):260A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.036
118
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.5622
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥0.945
385
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.09
70
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@VRRM
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.4
2
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@200V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥2.07
943
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.92
104
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA@800V
PANJIT(强茂)
KBJ
¥1.7556
800
正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.12
763
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.97
100
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):350A
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.183
495
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.81
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
晶导微电子
GBJ
¥1.83
39
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@50V
YANGJIE(扬杰)
KBPC8
¥1.98
200
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
晶导微电子
GBJ
¥1.84
159
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@600V
MCC(美微科)
4-SIP,RS-4L
¥1.29
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.79
687
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@800V
Comchip(典琦)
MBS
¥1.87
10
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A
DIODES(美台)
GBU
¥1.4366
960
直流反向耐压(Vr):800V
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.575
143
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
KBJ
¥1.96
0
正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
JB
¥1.42
0
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.204
245
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.03
745
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@100V
SMC(桑德斯)
4-ESIP
¥2
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 15 A
PANJIT(强茂)
KBJ
¥2.01
19
正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
GBU
¥2.01
23
直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
DIODES(美台)
-
¥1.81
935
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
GBU
¥2.02
5
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SMD-4P
¥2.0368
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
TO-269AA,4-BESOP
¥2.0375
77
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.05
2
直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@400V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):400A
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.36
0
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
KBPC1
¥1.477
81
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@800V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TS4B
¥2.2
0
DIODES(美台)
KBJ
¥1.72
10
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA
VISHAY(威世)
TO-269AA(MBS)
¥1.42
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.4
9
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@400V