Littelfuse(美国力特)
-
¥134.81
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.2 kV,电流 - 平均整流 (Io):28 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.62 V @ 30 A
Littelfuse(美国力特)
i4-Pac
¥62.03
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.2 kV,电流 - 平均整流 (Io):40 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.17 V @ 20 A
YANGJIE(扬杰)
M2
¥93.9
8
正向压降(Vf):1.38V@150A,整流电流:75A,反向电流(Ir):300uA@1.2kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):750A
YANGJIE(扬杰)
M4
¥88.73
3
正向压降(Vf):1.38V@150A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:75A,反向电流(Ir):300uA@1.6kV
YANGJIE(扬杰)
M5
¥105.74
0
正向压降(Vf):1.58V@300A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:130A,反向电流(Ir):300uA@1.2kV
YANGJIE(扬杰)
M3
¥121.18
0
正向压降(Vf):1.35V@300A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:250A,反向电流(Ir):500uA@1.6kV
YANGJIE(扬杰)
M5
¥155.87
6
正向压降(Vf):1.5V@300A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:160A,反向电流(Ir):500uA@800V
YANGJIE(扬杰)
M5
¥152.44
207
正向压降(Vf):1.58V@300A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:130A,反向电流(Ir):300uA@1.6kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ABS
¥0.0269
660
正向压降(Vf):950mV@400mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
晶导微电子
MBF
¥0.0289
21749
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
Hottech(合科泰)
MBF
¥0.037145
4815
正向压降(Vf):1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
MBF
¥0.04199
0
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@200V
TWGMC(台湾迪嘉)
MBF
¥0.0395
5100
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
MDI
¥0.04163
200
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.066
120
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
UMW(友台半导体)
MBF
¥0.052
3950
直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
MDD(辰达行)
ABF
¥0.12359
9900
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.05221
5000
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
MSKSEMI(美森科)
ABS
¥0.05396
4500
正向压降(Vf):950mV@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.057475
80
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@200V
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.0672
135
正向压降(Vf):1.7V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.01788
2560
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JUXING(钜兴)
ABS
¥0.04564
2720
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
MBF
¥0.05852
7546
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
SHIKUES(时科)
MBF
¥0.05852
23700
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
4-SMD,鸥翼
¥0.05898
345
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 400 mA
TWGMC(台湾迪嘉)
ABS
¥0.06327
6100
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
晶导微电子
MBS
¥0.066
9690
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YFW(佑风微)
MBF
¥0.0703
4900
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
MBS
¥0.07056
11900
正向压降(Vf):1.1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
ABF
¥0.086625
4700
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
BORN(伯恩半导体)
ABS
¥0.089018
2840
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1000V
MDD(辰达行)
TBS
¥0.0935
5253
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
BLUE ROCKET(蓝箭)
MBF
¥0.0965
7100
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
MBF
¥0.0978
360
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@400V
MDD(辰达行)
LBXS
¥0.1001
0
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
晶导微电子
ABS
¥0.1025
3020
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.1598
20875
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.07476
280
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.1091
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
华轩阳
MBS
¥0.10971
40
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
晶导微电子
MBS
¥0.1137
2760
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):40A
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.1152
40
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
ABS
¥0.1158
120
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
ABS
¥0.1194
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
Leiditech(雷卯电子)
ABS
¥0.118575
390
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
MBS
¥0.2005
125
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):500uA
AnBon(安邦)
MBF
¥0.1312
3300
正向压降(Vf):1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
ABF
¥0.152
34286
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LRC(乐山无线电)
TSB
¥0.10023
941
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA