ST(先科)
TO-269AA
¥0.3432
1
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.5208
2500
直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
晶导微电子
KBP
¥0.47866
700
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
Slkor(萨科微)
GBP
¥0.339
15
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LRC(乐山无线电)
DBS
¥0.3684
6704
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
MDI
¥0.3704
15
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
晶导微电子
UMSB
¥0.3711
2950
正向压降(Vf):1.1V@3.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
ABS
¥0.379525
19305
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
YFW(佑风微)
KBP
¥0.416
150
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3802
5
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.3819
0
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):90A
晶导微电子
UMSB
¥0.3853
5
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
SMC(桑德斯)
4-SMD,鸥翼
¥0.3866
891
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.3958
175
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
LGE(鲁光)
MSB
¥0.40185
5
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
KUU(永裕泰)
KBP
¥0.5499
5310
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.1469
240
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@100V
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.4087
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
YBS
¥0.4108
0
正向压降(Vf):930mV@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
GBU
¥0.328804
290
LGE(鲁光)
GBP
¥0.41247
275
正向压降(Vf):1.05V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):110A
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.4182
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
LGE(鲁光)
KBP
¥0.4183
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
UMSB
¥0.4235
27005
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LRC(乐山无线电)
KBP
¥0.5286
410
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
DIP-4
¥0.4359
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.22456
10
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
SHIKUES(时科)
MBS
¥0.448875
15
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
晶导微电子
KBP
¥0.7127
390
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.5574
1025
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@800V
PANJIT(强茂)
DIP-4
¥0.468
680
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
295
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
455
直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@100V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
470
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
275
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@400V
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.4857
2390
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
LGE(鲁光)
MSB
¥0.47187
2985
正向压降(Vf):1.25V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
MiniDIP
¥1.3754
230
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.5145
35
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
SDIP-4
¥0.5186
13
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.5208
1090
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.4979
2920
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
VISHAY(威世)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.5273
43
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
PANJIT(强茂)
TDI
¥0.5274
25
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.52857
1400
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
华轩阳
KBL
¥0.5686
275
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
FUXINSEMI(富芯森美)
GBU
¥0.54522
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
SMC(桑德斯)
D3K
¥0.547
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.5499
1035
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@50V
华轩阳
GBL
¥0.55366
220
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):10uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):175A