YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.6632
1639
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.748
11661
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 400 mA
晶导微电子
GBU
¥0.85
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2.4A,反向电流(Ir):5uA@400V
停产
onsemi(安森美)
DIP-4
¥1.1019
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.8543
1
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
KBU
¥0.864
1
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
JB
¥0.60592
860
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):135A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.42644
295
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥0.8255
445
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
SMC(桑德斯)
4-ESIP
¥0.8946
90
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
PANJIT(强茂)
SDIP-4
¥0.9015
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
晶导微电子
ULBF
¥0.935
6000
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):1uA@1000V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.27949
820
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.0485
0
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBU
¥0.94365
280
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
PB-6
¥0.88
1051
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A
SHIKUES(时科)
ULBF
¥0.958
76
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
MDD(辰达行)
KBU
¥0.9647
580
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@600V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.08819
0
MCC(美微科)
4-SMD,鸥翼
¥0.9688
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 400 mA
YFW(佑风微)
TTF
¥1.2013
2310
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥0.80164
385
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.9903
225
正向压降(Vf):1V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
GBJ
¥0.9903
235
直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):240A
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.9924
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.5152
101
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.3A,反向电流(Ir):5uA@600V
华轩阳
KBJ
¥1.0019
0
正向压降(Vf):1.05V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):170A
GOODWORK(固得沃克)
KBJ
¥0.936
274
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.2199
240
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@50V
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥1.0504
530
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
LGE(鲁光)
KBPC-6
¥1.02753
125
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥1.0356
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBJ
¥0.87876
100
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
BOURNS(伯恩斯)
SMD-4P,5.8x5.3mm
¥1.0884
25
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
VISHAY(威世)
DF-S
¥1.07
48
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.07428
1476
正向压降(Vf):1.05V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
VISHAY(威世)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥0.9504
28192
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
Slkor(萨科微)
GBU
¥0.8854
500
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.1004
160
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.2734
110
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1000V
晶导微电子
GBU
¥1.1254
3
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@100V
VISHAY(威世)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥1.13
30090
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
停产
Comchip(典琦)
DF-S
¥1.1368
0
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.57323
465
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.57113
253
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.1463
125
直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@100V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):125A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
MBS
¥1.1489
5
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
KBJ
¥1.121
250
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.161
290
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.1616
220
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@200V