DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥4.14
15
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
VISHAY(威世)
GBU
¥4.3146
119
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥4.0216
132
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 7.5 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥4.485
617
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥6.9283
204
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥2.996
10
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥3.42
0
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥5.34
50
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥4.68
1
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥5.15
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
S25VB
¥5.71
42
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥5.51
12
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@400V
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥7.03
51
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3.8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥6.72
40
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥5.82
43
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@600V
MCC(美微科)
GBJ
¥5.96
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 12.5 A
DIODES(美台)
KBJ
¥6.79
71
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥4.42
304
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥7.48
2
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@800V
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥6.4515
26
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥6.6
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
Comchip(典琦)
GBPC-W
¥15.29
64
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥7.02
4
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥7.17
5
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥6.65
12
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GSIB-5S
¥7.64
383
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 7.5 A
VISHAY(威世)
GBU
¥9.647
3200
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 12.5 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥8.18
39
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥6.965
210
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@800V
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥9.3834
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥9.59
28
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥9.63
4
正向压降(Vf):1.2V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@1.2kV
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥9.89
13
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A
LRC(乐山无线电)
PSD
¥10.13
3
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5mA
YANGJIE(扬杰)
TSB-5
¥10.34
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥11.92
18
正向压降(Vf):1.2V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1.6kV
VISHAY(威世)
4-方形,D-72
¥12.2892
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
GBPC-W
¥12.784
111
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.2 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥13.43
0
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@600V
VISHAY(威世)
4-SIP,KBL
¥10.5696
21
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
YANGJIE(扬杰)
MT-A
¥0.015
0
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@800V
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥16.03
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC
¥17.6175
83
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
VISHAY(威世)
4-SIP,PB
¥19.59
24
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):45 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 22.5 A
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC
¥19.27
100
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
Comchip(典琦)
4-方形,GBPC-W
¥20.39
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC-W
¥36.38
4
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
onsemi(安森美)
4-方形,GBPC-W
¥30.6623
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
MICROCHIP(美国微芯)
QFN-40(6x8)
¥31.83
106
类型:桥式整流器,FET 类型:N 通道,比率 - 输入:输出:桥(2),内部开关:是,电流 - 输出(最大值):1.5A
Littelfuse(美国力特)
i4-Pac
¥46.33
49
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):28 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.62 V @ 30 A