MSKSEMI(美森科)
UMSB
¥0.31725
2060
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.36962
273
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
LGE(鲁光)
GBP
¥0.37017
130
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):70A
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3734
0
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@400V
PANJIT(强茂)
SDIP-4
¥0.771879
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3949
10
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@400V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.20223
80
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.4122
35
正向压降(Vf):1V@700mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@800V
晶导微电子
UMSB
¥0.4221
385
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.4256
2115
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.4303
5
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.4389
720
正向压降(Vf):1.05V@0.5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@200V
SMC(桑德斯)
DBS
¥0.4464
410
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.37492
1265
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.4714
1490
正向压降(Vf):1.05V@0.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@100V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.4742
1180
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.4771
550
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.4816
677
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
DIOTEC(德欧泰克)
4-SOIC(0.118",3.00mm 宽)
¥0.4851
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 500 mA
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.4867
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
LGE(鲁光)
MBS
¥0.44442
800
直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):40A
YFW(佑风微)
MBF
¥0.5919
175
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500nA
SHIKUES(时科)
ULBF
¥0.05193
139
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.5016
2405
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.512
310
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@100V
LGE(鲁光)
GBU
¥0.53559
320
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
GBL
¥0.54468
60
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.6058
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
JBF
¥0.5209
1460
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBU
¥0.56393
718
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2.4A,反向电流(Ir):5uA
FUXINSEMI(富芯森美)
GBU
¥0.57672
195
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
KBPF
¥0.5863
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.876
2040
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
华轩阳
GBU
¥0.58716
475
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.59
0
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
GBL
¥0.589475
470
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.36379
560
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
华轩阳
GBU
¥0.575225
70
正向压降(Vf):1.05V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):220A
YFW(佑风微)
KBL
¥0.512
125
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
MBS
¥0.6206
3000
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):220V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.6267
415
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@100V
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.895
305
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DBLS-4
¥0.6646
0
YFW(佑风微)
ABS
¥0.7088
270
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300nA@60V
YFW(佑风微)
GBU
¥0.56544
60
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.6831
190
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
YFW(佑风微)
GBU
¥0.56464
340
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.6386
1560
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
JUXING(钜兴)
KBL
¥0.644195
500
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥0.5301
528
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A