HSS2N15
HUASHUO(华朔)
SOT-23
¥0.446248
3,805
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):150V,连续漏极电流(Id):1.8A,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@4.5V
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HSS2N15
HUASHUO(华朔)
SOT-23

6000+:¥0.4462

3000+:¥0.4717

500+:¥0.5245

150+:¥0.7038

50+:¥0.7902

5+:¥0.9918

3620

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HSS2N15
HUASHUO(华朔)
SOT-23

30+:¥0.692

10+:¥0.778

1+:¥0.98

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 150V
连续漏极电流(Id) 1.8A
导通电阻(RDS(on)) 300mΩ@4.5V