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Si2308BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.8725 1500+:￥0.9135 600+:￥0.9791 200+:￥1.0611 50+:￥1.143 10+:￥1.2414 |
500 |
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立即发货
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华秋商城
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SI2308BDS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23
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1+:￥0.883 |
8592 |
2237
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2308BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1500+:￥0.99 500+:￥1.25 50+:￥1.39 5+:￥1.58 |
2133 |
22+/21+
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在芯间
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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1000+:￥2.4819 500+:￥2.549 300+:￥2.6352 100+:￥3.0568 50+:￥3.7084 30+:￥5.6345 |
3000 |
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3周-4周
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唯样商城
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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6000+:￥0.7594 3000+:￥0.7661 1000+:￥0.8421 500+:￥0.9278 100+:￥1.017 |
29300 |
23+
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4-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 156 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.09W（Ta），1.66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |