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IPB042N10N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IPB042N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO-263-3
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1000+:￥2.17 1+:￥2.27 |
5698 |
2年内
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圣禾堂
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IPB042N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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1000+:￥2.236 1+:￥2.34 |
5584 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IPB042N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-263(D²Pak)
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1000+:￥2.255 500+:￥2.3575 100+:￥2.5625 30+:￥2.7675 1+:￥2.87 |
2838 |
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华秋商城
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IPB042N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-3
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1000+:￥2.28 500+:￥2.42 100+:￥2.95 30+:￥3.4 10+:￥3.85 1+:￥4.76 |
12615 |
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立即发货
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立创商城
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IPB042N10N3G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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10000+:￥2.431 2000+:￥2.6244 1000+:￥2.7625 500+:￥3.8675 100+:￥5.525 10+:￥8.9919 |
49685 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 117 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8410 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB |